描述

SST-PFB3-VME

線(xiàn)損率是供電系統(tǒng)的重要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)，它表示線(xiàn)路上所損失的電能占線(xiàn)路首端輸出電能的百分?jǐn)?shù)。
但是線(xiàn)損率很少以一條線(xiàn)路進(jìn)行考核，多是以一個(gè)電力系統(tǒng)或一個(gè)供電區(qū)域來(lái)計(jì)算它的綜合線(xiàn)損率。
線(xiàn)損率不僅可以綜合反映一個(gè)單位或一個(gè)區(qū)域的供電經(jīng)濟(jì)性，而且也可以間接反映供電的技術(shù)條件和管理水平。
不論是一個(gè)國(guó)家，一個(gè)大型電力系統(tǒng)或一個(gè)供電區(qū)域，先進(jìn)的線(xiàn)損率要控制在5％~8％之間，供電條件差的線(xiàn)損率可達(dá)百分之十幾。
線(xiàn)損率ΔP％可按下式計(jì)算：
ΔP％＝（供電量－用電量）÷供電量×100％
式中的供電量和用電量均以供、受端電度表的抄表電度為準(zhǔn)。有時(shí)也可按線(xiàn)路的計(jì)算損失功率與首端輸送功率來(lái)計(jì)算線(xiàn)損率

PLC的工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者繼續(xù)致力于在預(yù)算和電路板面積不斷縮小的情況下，推動(dòng)產(chǎn)品性能和功能度的不斷提高。為了提供能滿(mǎn)足這些嚴(yán)格要求的集成電路，并努力爭(zhēng)取信號(hào)鏈上的每個(gè)重要位置，Analog Devices已經(jīng)開(kāi)發(fā)了重要的新制造工藝流程。這一被稱(chēng)為iCMOS的工藝技術(shù)將高壓硅集成電路技術(shù)與亞微米的CMOS和互補(bǔ)雙極型技術(shù)結(jié)合起來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)能提供30V工作的模擬IC(許多工業(yè)應(yīng)用均有需求)，而所需的平面尺寸更小、性能更高且成本更低?；谛酒?jí)變壓器(而非LED和光電二極管)的iCoupler隔離技術(shù)可以與CMOS半導(dǎo)體功能結(jié)合，提供低成本的隔離功能。iPolar溝槽隔離工藝則使得電壓可以高達(dá)±18 V的電源電壓下工作，其性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的雙極型放大器，而功耗則減半，封裝尺寸也減小了75%。這些技術(shù)能很好地滿(mǎn)足當(dāng)前的需求，并能笑迎輝煌的未來(lái)。

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