描述

IC698CPE030

大的DRAM模塊變得更加“友好”的另一個(gè)方面是其功耗。從180納米向130納米轉(zhuǎn)換時(shí)功耗已經(jīng)得到極大的改善。在130納米工藝下，一個(gè)分頁寫模式的DRAM功耗只有180納米工藝下的34%。待機(jī)功耗也降到了180納米下的24%，而停止工作時(shí)的功耗只有180納米下的12%。功耗的減少有助于推動(dòng)大的嵌入式DRAM在便攜式攝像機(jī)和手機(jī)SoC中的應(yīng)用。嵌入式存儲(chǔ)器的繁榮完全歸功于新的集成工藝技術(shù)的成功，開發(fā)這些工藝技術(shù)的初始階段就考慮了大存儲(chǔ)器。工藝一代比一代更加精良，保證了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。僅僅在這個(gè)層面上，就可以預(yù)言ASIC廠商能提供具有成本效益的嵌入式存儲(chǔ)器。基于這個(gè)原因，用戶可以預(yù)計(jì)SRAM和內(nèi)嵌溝道型DRAM將是未來SoC的流行選擇。除了成本的降低，采用這類存儲(chǔ)器可以把上市時(shí)間和設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)降到最低。要得到這些好處，用戶要注意的是必須有效利用其工藝供應(yīng)商的存儲(chǔ)器IP，因?yàn)橹圃旃に囈Y(jié)合專門的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)才能發(fā)揮作用。針對(duì)非易失性存儲(chǔ)要求，東芝公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在一個(gè)堆疊裸片封裝中將SoC和現(xiàn)成的閃存結(jié)合在一起可以工作得非常好，而且成本較低。另外SRAM對(duì)于小的、高速的SoC存儲(chǔ)器來說是理想選擇，而嵌入式溝道型DRAM適合于滿足大的存儲(chǔ)塊需要。

當(dāng)然，用新型控制裝置實(shí)現(xiàn)老設(shè)備改造與生產(chǎn)過程自動(dòng)化，提高勞動(dòng)生產(chǎn)率，改善企業(yè)管理，這是提高企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益的必要措施，但如何正確處理這種關(guān)系，本文提供一些數(shù)據(jù)資料作為用戶參考。 1、可靠性問題 據(jù)有關(guān)資料提供數(shù)據(jù)表明：國外一般中小型PLC，如日立、西門子、IPM，平均無故障時(shí)間高達(dá)10萬h。即使大型PLC平均無故障時(shí)間也在4～5萬h之間。因此，制造廠商認(rèn)為可靠性已不存在問題。就可靠性而言，繼電接觸器是望塵莫及的。所以，對(duì)于日立、西門子、IPM等產(chǎn)品資料中可靠性不再是一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)。 2、PLC的經(jīng)濟(jì)綜合分析 對(duì)PLC的經(jīng)濟(jì)分析，應(yīng)從以下幾方面考慮： （1）從影響成本的各個(gè)因素綜合考慮　從目前生產(chǎn)設(shè)備控制裝置來說，有三種類型：①繼電器控制。②半導(dǎo)體器件控制。③PLC控制。

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