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描述

1769-L30ER

?近幾個月來,固態(tài)硬盤(SSD)供應商針對數據中心與企業(yè)應用,已經開始推銷可將多層單元閃存用于企業(yè)級硬盤的產品。這些硬盤將進入幾十年來由7200轉和15000轉硬盤,以及開放線性磁帶(LTO)和其他基于磁帶和動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的數據存儲裝置一統天下的應用領域。

? ? 企業(yè)存儲應用與消費者存儲應用的不同之處主要體現在以下幾個規(guī)格中:企業(yè)硬盤運行的溫度范圍要大于消費者硬盤;有高負載率的數據流量、全天候通電,而且必須有5-7年的典型數據存儲壽命(平均無故障時間達4.4萬小時);企業(yè)硬盤上所存儲的數據大小也不同,它包括從大量小文件的交易數據存儲到在大型數據庫上的細微查詢,以及由一個共享計算機系統訪問的超大型視頻和數據庫文件存儲。
? ? 存儲于云和數據中心不斷增長的數據量已使最先進的傳統存儲技術成為數據訪問的瓶頸。因而,固態(tài)硬盤作為新一級的存儲子系統,已逐步占據該領域的主導地位。利用DRAM制成的首批SSD可提供高的傳輸速度和吞吐量,但需要連續(xù)功率來維持已存儲的數據。從功率、性能和容量來看,基于DRAM的大容量存儲裝置的費用限制了其應用范圍。
? ? 新型SSD采用了非易失性、NAND閃存技術。它擁有高存儲容量,可長期保存數據,而且不需消耗功率也能維持數據——只需訪問即可。不過事物都是有兩面性的:DRAM擁有對稱讀/寫性能,只要有電就可以無限制地讀取和寫入,而閃存讀寫的訪問次數卻是不對稱的。閃存的使用壽命也是有限的,有時是基于寫入的次數,而在某些條件下又是基于讀取的次數。
? ? 對于一個接口而言,我們不能在操作系統層面上處理這些基本的讀寫過程,而是需要設計定制的固件和功能控制的編程,它們對每個硬盤制造商來說都是獨一無二的。這樣的變化形式和多樣性增加了維護成千上萬個硬盤柜的費用和復雜性,如今,這種規(guī)模已成為普遍現象。
? ? 閃存技術正在朝著兩個方向發(fā)展:一種是工藝尺度的縮減,使得相同芯片面積下能夠容納更多單元;另一種是架構調整,以增加每個閃存單元可以存儲的數據位數。用于制造存儲單元的最先進工藝結點范圍為22nm-19nm;下一代節(jié)點為14nm。這些工藝能夠制造出非常大的芯片,單單一個片芯上的單元就超過了80億。
? ? 同時,為了滿足日益增長的存儲需求并減少存儲成本,閃存制造商已經推動了技術發(fā)展,使一個單元內可存儲多個數據位?,F有不同種類的閃存或發(fā)展中的閃存包括:單級單元(SLC)、多級單元(MLC)、三級單元(TLC)及四級單元(QLC)器件,每個單元中分別可以儲存1bit、2bit、3bit和4bit。
? ? 帶糾錯碼(ECC)的SLCNAND閃存可提供10萬次寫入/擦除周期,及10年的數據保持期;帶ECC的MLCNAND閃存可提供3000-1萬次寫入/擦除周期;TLCNAND閃存提供250-500次寫入/擦除周期。
? ? 存儲于云和數據中心不斷增長的數據量已使傳統的存儲技術成為數據訪問的瓶頸。如今,SSD已占據主導地位。
? ? QLCNAND閃存于2011年面世。開發(fā)商包括英特爾公司、美光科技公司、三星、美國晟碟及東芝。
? ? 非SLC技術的自身特性無疑不能滿足企業(yè)應用的要求。而現在出現了一些新的數字信號處理(DSP)、ECC和寫入波形方法,使這些高密度技術可以用于企業(yè)級存儲。開發(fā)商們正各自致力于研究這些技術,主要是針對固件,以支持不同供應商的閃存核心,而解決方案正在逐步進入市場。

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先介紹幾點經驗。
1、先通讀一遍“系統手冊”(不管能不能看懂,先了解個大概,以便學習編程時查找);
2、由位控邏輯入手,逐漸增加定時、計數等條件,把或、與、非關系理順;
3、進而練習整數運算、實數運算、類型轉換;
4、量程轉換、PID調節(jié)回路的建立及P、I、D參數的理解(最好是有個物理回路驗證,比如變頻器+電機+測速傳感器);
5、循環(huán)、順序、跳轉等程序控制(盡量避免跳轉,非跳不可時也是跳的越近越好);
6、中斷、通訊、位置控制....

本人以ABB工業(yè)機器人配件DSQC系列和Motorola MVME系列,GE 卡件 模塊 驅動器系列為主攻。各位電工朋友可根據自己的條件選擇適合自己的PLC品牌,由于PLC的基本框架大同小異,學會一種至于其它的學習起來也就簡單了。