產(chǎn)品概述

DS200DCFBG1B是Dallas Semiconductor公司生產(chǎn)的一款低功耗、高精度、即時(shí)編程的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）芯片。它采用CMOS工藝制造，具有以下特點(diǎn)：

低功耗：典型功耗僅為0.25微安

高精度：時(shí)間誤差小于±1分鐘/年

即時(shí)編程：支持I2C或SMBus接口，可即時(shí)編程所有寄存器

廣泛的溫度范圍：工作溫度范圍為-40°C至+85°C

 

產(chǎn)品參數(shù)

電源電壓：2.7V至3.6伏

電源電流：典型0.25μA，最大1μA

時(shí)間基準(zhǔn)：32.768 kHz晶體振蕩器

時(shí)間格式：BCD碼或二進(jìn)制碼

可編程寄存器：年、月、日、時(shí)、分、秒、控制寄存器

通信接口：I2C或SMBus

產(chǎn)品規(guī)格

封裝：SO-8、TSSOP-8

尺寸：SO-8：5.3毫米x 3。8毫米;TSSOP-8：3毫米x 3毫米

重量：SO-8：0.08克;TSSOP-8：0。004克

系列

DS200DCFBG1B屬于DS2000系列RTC芯片。DS2000系列RTC芯片具有低功耗、高精度、即時(shí)編程等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

特征

低功耗：DS200DCFBG1B采用低功耗設(shè)計(jì)，典型功耗僅為0.25μA，非常適合電池供電的設(shè)備。

高精度：DS200DCFBG1B采用高精度晶體振蕩器，時(shí)間誤差小于±1分鐘/年，能夠滿足各種對(duì)時(shí)間精度的要求。

即時(shí)編程：DS200DCFBG1B支持I2C或SMBus接口，可即時(shí)編程所有寄存器，方便用戶設(shè)置時(shí)間和配置。

廣泛的溫度范圍：DS200DCFBG1B的工作溫度范圍為-40°C至+85°C，可滿足各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

符合RoHS指令：DS200DCFBG1B符合RoHS指令，不含鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚等有害物質(zhì)，可用于環(huán)保要求高的產(chǎn)品。

作用

DS200DCFBG1B可用于提供實(shí)時(shí)時(shí)間信息，用于各種電子設(shè)備的時(shí)間管理，例如：

計(jì)算機(jī)

服務(wù)器

網(wǎng)絡(luò)設(shè)備

電信設(shè)備

家用電器

可穿戴設(shè)備

用途

DS200DCFBG1B廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如：

計(jì)算機(jī)行業(yè)

通信行業(yè)

消費(fèi)電子行業(yè)

工業(yè)控制

醫(yī)療保健

應(yīng)用領(lǐng)域

DS200DCFBG1B可用于各種應(yīng)用，例如：

數(shù)據(jù)記錄

事件日志

時(shí)間戳

定時(shí)提醒

系統(tǒng)監(jiān)控